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拥有超额内存/闪存容量的三大巨头明年都将减产。

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  • 2019-07-04
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简介在过去两年中,DRAM芯片和内存条的价格经历了一波飙升的浪潮,而拥有超额内存/闪存容量的三大巨头明年都削减了产量。 

    在过去两年中,DRAM芯片和内存条的价格经历了一波飙升的浪潮,而拥有超额内存/闪存容量的三大巨头明年都削减了产量。

    原标题:明年内存/闪存容量将减少

    在过去的两年里,DRAM芯片和内存条的价格经历了一波飙升的浪潮,现在他们慢慢恢复了理智。另一方面,NAND闪存容量丰富,SSD固态硬盘价格持续下跌,成本效益比越来越高。

    但对于内存和闪存芯片制造商来说,这不是好消息。三星电子、SK Hynix和美光都希望开始有意控制产能。

    Metro的CEO Sanjay Mehrotra在最近的一次季度财务会议上说,目前的DRAM存储芯片市场供过于求,库存继续增加,导致价格下跌,拖累了整个行业。

    Metro预计明年内存芯片的容量将增长15%,低于此前预期的20%,而NAND闪存芯片将仅增长35%,低于此前预期的35-40%。

    为了解决供过于求的问题,美光计划明年将其资本支出削减12.5亿美元至95亿美元,以减少DRAM存储器和NAND闪存芯片容量。

    不过,产能调整需要时间,美光预计明年下半年将恢复供需平衡。

    同时,三星和SK Hynix也有类似的减产计划。三星将增加晶片OEM的市场份额,以弥补芯片价格下降造成的损失。

    市场研究公司IC Insights预计,半导体行业的总资本支出明年可能减少12%,三星、英特尔、SK海力士、台积电及地铁等公司将分别减少14%和7%。

    看看这个,内存和固态硬盘的价格可能在明年年中左右反弹。

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